干法各向同性蚀刻
残留自由、高选择性各向同性刻蚀
MEMS的释放和牺牲步骤
材料包括:
多晶硅，非晶硅，单晶硅
硅的氧化物和氮化物
过渡金属钼、钽、钨、钛
尼龙
应用包括:
膜，悬臂梁，沟道和桥
制程包括:
Vapour HF, XeF2, O2, CF4
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