所有CMOS和双极技术的加工都在4英寸和6英寸上（2008年7月）

• 特殊地扩散到1250c （碳化硅炉中），在硅生长的过程中维持。
• P型（硼）和N型（磷，砷）炉或掺杂。
• LPCVD多晶硅门电极，电阻器（ 1000欧姆/平方） ，沟槽填补，和MEMS的牺牲层。
• LPCVD的locos氮化物 ，电容器的介质，与MEMS膜
• 提供中间层电介体(ILD）的PECVD（低温）氧化物，氮氧化，氮化物，为跨一级介电常数（ ild ） ，电路钝化，应力控制（拉伸和压缩）薄膜MEMS的应用，并作为MEMS的牺牲层。